Продукты

Рекомендуемые продукты

связаться с нами

Процессы лазерной маркировки P1, P2, P3 и их влияние на конечную эффективность ячейки

2025-12-09

P1

Требования к точности процессов лазерной маркировки P1, P2, P3 и их влияние на конечную эффективность ячейки

Точность процессов лазерного скрайбирования P1, P2 и P3 имеет основополагающее значение для высокоэффективной работы перовскитных солнечных элементов. В таблице ниже представлены основные цели, ключевые элементы управления точностью и прямое влияние каждого процесса на конечную эффективность элемента.

Шаг процесса

Основные цели и требования к точности

Ключевое влияние на эффективность ячеек

P1 (изоляция заднего электрода)

Цель:Точно удалитьПрозрачный проводящий оксидный слой (ТШО)для формирования изолированных полос на подложке.
Точность:Писаниеглубинадолжен полностью проникнуть в слой ТШО (несколько сотен нанометров), ноабсолютно избегать повреждениянижележащая стеклянная подложка;ширина линииобычно требуется контролировать в течение10-30 микрометров (мкм).


1.Закладывает основу для геометрического фактора заполнения (ГФФ):Положение и ширина линии P1 служат базовой линией для последующих линий P2 и P3, напрямую определяя начальный размер "мертвой области.дддххх
2.Предотвращает повреждение основания:Избыточная мощность или плохая фокусировка могут повредить стеклянную подложку, уменьшив эффективную площадь приема света и потенциально вызвав появление микротрещин.


P2 (Формирование межсоединения)

Цель:Точно удалитьслой перовскитного абсорбера и слой транспорта дырокчтобы раскрыть базовый P1 ТШО, создав последовательное соединение. Этонаиболее технически сложныйшаг.
Точность: Контроль глубиныкритически важно. Это должноточно удалить функциональные слоибез ущерба или с минимальным влиянием на базовую совокупную стоимость владения.Селективностьявляется ключевым фактором, требующим подходящей длины волны лазера (например, 532 нм зеленого или 355 нм УФ) для эффективного поглощения верхними слоями, в то время как нижний ТШО остается прозрачным и неповрежденным.


1.Определяет последовательное сопротивление:Неполное скрайбирование P2 (остаток) увеличиваетконтактное сопротивлениемежду субъячейками; переопределение, которое повреждает ТШОразрушает проводящий канал, что приводит к снижению коэффициента заполнения (ФФ) и выходного напряжения.
2.Влияет на транспортировку переносчиков:Чрезмерная зона термического влияния (ЗТВ) может повредить кристаллическую структуру перовскита, приводя к появлению центров рекомбинации и снижению эффективности токосъема.


P3 (Изоляция верхнего электрода)

Цель:Удалитьметаллический верхний электроди нижележащие функциональные слои для достиженияэлектрическая изоляциясубъячеек, замыкающих последовательную цепь.
Точность:Необходимо полностью очистить металлический слой, покаизбегая чрезмерного травленияв нижележащую линию P1 или активную область перовскита. Высокаякачество кромкинеобходимо для предотвращения скручивания металла или попадания мусора, которые могут вызвать короткое замыкание.


1.Завершает электрическую изоляцию:Неполное скрайбирование P3 может привести к короткому замыканию верхних электродов соседних подэлементов, что сделает весь модуль неэффективным.
2.Окончательный размер мертвой зоны:Ширина линии P3 и её расстояние от линии P2 являются конечными компонентами мёртвой зоны. Точный контроль минимизирует эту область.


💡 Глубокое понимание взаимосвязи точности и эффективности

Помимо прямых требований, изложенных в таблице, конечное влияние на эффективность ячейки зависит от нескольких взаимосвязанных факторов, управляемых посредством точного скрайбирования.

  • Мертвая зона и геометрический коэффициент заполнения (ГФФ):Линии P1, P2 и P3 вместе с безопасным расстоянием между ними образуют негенерирующую электроэнергию линию дддхххмертвая зона.дддххх Общая площадь мертвой зоны напрямую определяет модуль дддхххГеометрический коэффициент заполнения (ГФФ).дддххх Максимизация эффективной площади генерации (т.е. минимизация мёртвой зоны) является важнейшим рычагом для повышения общей выходной мощности модуля при заданной эффективности преобразования самого перовскита. Согласно одному анализу, для модуля размером 1,0 м × 2,0 м уменьшение ширины мёртвой зоны с 250 мкм до 130 мкм может увеличить выходную мощность каждого модуля примерно на 8,47 Вт (при эффективности активной зоны 18%), что означает значительный дополнительный доход для производственных линий ГВт-масштаба.


  •  P2

  • Термический удар и материальный ущерб:Лазерная обработка по своей сути предполагает взаимодействие энергии с материалом. Плохо контролируемая энергия (например, при использовании традиционных методов)наносекундные лазеры) может создатьЗона термического влияния (ЗТВ)который изменяет кристаллическую структуру материала перовскита, внося дефекты, которые действуют как центры рекомбинации для носителей заряда (фотогенерированных электронов и дырок), тем самымснижение напряжения холостого хода и тока короткого замыкания ячейки. Следовательно, в отрасли наблюдается тенденция к использованиюсверхбыстрые лазеры(например, пикосекунда, фемтосекунда). Их холодная обработка, обеспечиваемая чрезвычайно высокой пиковой мощностью, которая вызывает мгновенное испарение материала,уменьшает ЗТВ до микрометрового или даже нанометрового масштаба, лучше сохраняя оптоэлектронные свойства материала перовскита.


  • Онлайн-мониторинг и управление процессами:В крупномасштабном массовом производстве обеспечение единообразия на тысячах линий разметки имеет первостепенное значение. Передовые производственные системы интегрируютонлайн-системы визуального контроляЭти системы могутреалистично отслеживать фактическое положение опорной линии P1(компенсируя незначительную деформацию подложки в последующих процессах) идинамически корректировать пути скрайбирования для P2 и P3, гарантируя, что межстрочный интервал остаётся в заданном диапазоне. Например, установив пороги безопасности, система может подавать сигнал тревоги при возникновении аномалий межстрочного интервала, помогаяпостоянно оптимизируйте мертвую зону, избегая пересечений линий и коротких замыканий.


💎 Заключение

Точность процессов лазерного скрайбирования P1, P2 и P3 является краеугольным камнем высокоэффективных перовскитных солнечных элементов.Точное позиционирование линии P1 является основой, выборочное травление линии P2 — самой сложной задачей, а полная изоляция линией P3 — окончательной гарантией.Они коллективно действуют по трем основным направлениям:минимизация мертвой зоны, снижение последовательного сопротивления и предотвращение термического повреждения материала.Эти факторы в конечном итоге определяют модульГеометрический коэффициент заполнения, последовательное сопротивление и эффективность сбора носителей, что существенно влияет на конечную эффективность фотоэлектрического преобразования и выходную мощность. Благодаря развитию сверхбыстрых лазерных технологий и интеллектуальных систем онлайн-мониторинга, требования к точности и эффективности производства перовскитных ячеек продолжают расширяться.


Надеюсь, этот перевод будет полезен. Если вас заинтересуют конкретные темы, например, сравнение различных типов лазеров (например, ультрафиолетовых наносекундных и зелёных пикосекундных) или более подробные описания типов отказов, я готов продолжить обсуждение.


40px

80px

80px

80px

Получить цену